兆易创新：DRAM与NOR Flash双轮驱动，车规与AI布局打开成长空间

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兆易创新（2025-10-20）炒作逻辑：基于2025年半年报及投资者关系记录，兆易创新在DRAM供给缺口涨价、NOR Flash技术升级、车规芯片高速增长及AI新终端布局等多重利好下，业绩增长明确，成为市场炒作焦点。

兆易创新：DRAM与NOR Flash双轮驱动，车规与AI布局打开成长空间

来源：专家复盘组时间：2025-10-20 16:04 关键词：兆易创新 DRAM NOR Flash 车规芯片 AI终端存储芯片

今日炒作逻辑
明日走势预判
明日操盘策略
炒作逻辑说明

兆易创新（2025-10-20）真正炒作逻辑：存储芯片+车规芯片+AI终端

1、DRAM价格上涨：利基型DRAM因海外大厂退出导致供给缺口，价格自2025年3月起上涨，毛利率恢复两位数以上，全年DRAM产品线收入有望同比增长50%以上，直接提振公司业绩。
2、NOR Flash技术升级：45nm NOR Flash产能持续爬坡，芯片面积较55nm缩减20%，成本优势显著，预计2025年底收入贡献提升至全年15%，增强公司盈利能力。
3、车规Flash高速增长：车规Flash国内市占领先，2025H1收入同比增长50%以上，未来国内外双线并举加速出海，拓展全球市场。
4、AI新终端布局：前瞻布局AI服务器、AI眼镜等新终端，抓住AI浪潮，为公司长期增长注入新动力。

1、可能高开震荡：受今日正面逻辑刺激，明日可能高开，但需警惕获利盘回吐导致震荡。
2、资金关注度提升：存储芯片和AI概念热度高，成交量或放大，推动股价上行。
3、短期技术面偏强：基于基本面改善，股价有望延续上涨趋势，但需注意大盘情绪影响。

1、高开不追涨：若高开过多，避免追高，等待回调至均线附近再考虑介入。
2、设置止损位：建议以今日收盘价下方3%-5%作为止损参考，控制风险。
3、关注量能变化：若放量上涨可持有，缩量调整则谨慎观望。
4、波段操作：可趁震荡低吸，目标位看前期高点附近。

1、DRAM业务驱动：海外大厂退出导致利基型DRAM供给紧张，价格持续上涨，公司毛利率改善，全年收入预计增50%以上，成为核心增长点。
2、NOR Flash成本优势：45nm工艺提升产能和成本效率，收入贡献增加，强化公司在存储市场的竞争力。
3、车规芯片出海加速：国内市占领先且收入高增长，双线出海战略拓展国际市场，提升全球份额。
4、AI终端前瞻布局：切入AI服务器和AI眼镜等新兴领域，顺应技术趋势，打造未来增长引擎。

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