兆易创新受益存储涨价潮，AI驱动业绩高增长

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兆易创新（2025-10-24）炒作逻辑：基于行业存储芯片涨价预期和公司业绩增长，兆易创新今日受资金追捧，DRAM和NOR Flash业务表现强劲，AI技术集成助力未来增长，明日走势需关注市场情绪和获利盘压力。

兆易创新受益存储涨价潮，AI驱动业绩高增长

来源：专家复盘组时间：2025-10-24 15:20 关键词：兆易创新存储芯片 AI DRAM NOR Flash MCU 半导体

今日炒作逻辑
明日走势预判
明日操盘策略
炒作逻辑说明

兆易创新（2025-10-24）真正炒作逻辑：存储芯片+AI+半导体+国产替代

1、存储涨价预期：行业消息称三星、SK海力士等计划在2025年第四季度将DRAM和NAND闪存价格上调最多30%，AI需求爆发推动存储板块走强。
2、公司业绩驱动：2025H1营收和净利同比增长，利基型DRAM因海外大厂退出致供给缺口，价格自3月起上涨，毛利率恢复两位数以上，全年DRAM产品线收入目标增长50%以上。
3、产品创新加速：45nm NOR Flash产能爬坡，成本优势显著；车规Flash国内市占领先，收入同比增长50%以上，加速出海布局AI服务器等智能终端。
4、AI技术集成：MCU产品集成NPU加速AI运算，工业AI MCU在开发中，消费AI MCU处于定义阶段，2025H1 MCU收入同比增长近20%，未来增长可期。

1、高开可能性：受今日存储涨价逻辑驱动，明日可能高开或延续涨势，但需警惕获利盘压力。
2、震荡上行：若行业利好持续，股价或震荡上行，但市场整体情绪和外部因素可能影响幅度。
3、回调风险：若炒作情绪降温，可能出现短期回调，支撑位关注近期低点。

1、高开止盈：若高开可考虑部分获利了结，锁定收益。
2、回调低吸：若回调至关键支撑位，可分批低吸，布局中长期增长。
3、关注动态：密切关注存储芯片价格新闻、公司公告及行业政策变化，及时调整策略。

1、行业背景：AI带动存储需求爆发，数据中心对高容量DRAM需求攀升，三星等供应链涨价预期驱动板块走强。
2、公司优势：兆易创新利基型DRAM因供给缺口价格上升，毛利率改善；NOR Flash产能爬坡成本优势显著；车规Flash高速增长加速出海。
3、技术布局：MCU集成NPU切入AI终端市场，工业及消费AI MCU在开发中，增强长期竞争力。
4、风险提示：炒作逻辑基于公开信息，实际走势受多重因素影响，投资需谨慎。

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