兆易创新H股过聆讯+存储景气度上行新品MCU强化成长逻辑

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兆易创新（2025-12-18）炒作逻辑：兆易创新H股上市获港交所聆讯通过，叠加利基型DRAM供不应求、Q3业绩高增，以及高性能MCU新品发布和NOR Flash全球领先地位，多重利好催化短期市场关注度。

兆易创新H股过聆讯+存储景气度上行新品MCU强化成长逻辑

来源：专家复盘组时间：2025-12-18 15:33 关键词：兆易创新 H股上市存储芯片 DRAM NOR Flash MCU 半导体汽车电子

今日炒作逻辑
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炒作逻辑说明

兆易创新（2025-12-18）真正炒作逻辑：存储芯片+MCU+H股上市+汽车电子+半导体国产替代

1、H股上市进展催化：港交所已通过H股主板上市聆讯，预计发行不超过5179.69万股，为公司打通国际融资渠道、提升全球品牌影响力提供催化剂。
2、存储芯片景气度持续：利基型DRAM供不应求、价格持续上行，Q3单季归母净利润同比大增61.1%，毛利率提升至40.72%，验证行业高景气与公司盈利弹性。
3、新产品发布强化成长预期：发布GD32H78D/77D系列高性能MCU，基于750MHz Cortex-M7内核并集成MIPI DSI接口，瞄准高端嵌入式HMI、智能家居等增量市场，体现产品线持续升级。
4、存储龙头地位巩固：NOR Flash全球排名第二，车规Flash营收延续高增长，45nm NOR Flash年底收入贡献预计达全年15%，显示公司在细分领域的领先优势与技术迭代能力。

1、情绪延续性：今日多条利好集中释放，预计市场情绪较高，明日早盘可能延续强势，但需关注今日涨幅是否已充分反映利好。
2、量能关键性：若明日继续放量上涨，则短期趋势有望强化；若缩量或冲高回落，则可能进入震荡整理阶段。
3、板块联动影响：存储芯片板块整体情绪及半导体板块资金流向将影响个股表现，需观察板块内其他标的走势。

1、持筹者策略：若早盘快速冲高且量能不足，可考虑部分止盈；若换手充分且站稳今日高点，可继续持有观察。
2、持币者策略：不宜追高，可等待分时回调或震荡区间下沿的低吸机会，重点关注5日均线支撑。
3、风险控制：设置好止损位（如今日阳线实体一半位置），避免情绪化追涨。若高开低走且跌破分时均线，需警惕短期调整。

1、核心驱动一：H股上市聆讯通过是短期最强事件催化，不仅意味着融资渠道拓宽，也提升公司在国际资本市场的知名度，对估值有正面拉动作用。
2、核心驱动二：存储芯片行业景气度持续，公司DRAM业务量价齐升，NOR Flash车规领域高速增长，业绩确定性高，提供基本面坚实支撑。
3、核心驱动三：MCU新产品迭代瞄准高端市场，显示公司从存储向“存储+MCU+传感器”平台型公司演进，打开长期成长空间。
4、市场情绪叠加：在半导体国产替代与行业周期复苏双主线背景下，公司作为国内存储与MCU双龙头，容易吸引板块资金集中关注。

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